本文整理 2025 年 8 月 28 日西门子 EDA 论坛的参会内容,重点关注 Siemens 如何利用 AI 与机器学习驱动的 Tessent DDYA、Calibre SONR 和 Calibre SDPAL 方案,诊断、预测并定位半导体缺陷。
活动:西门子 EDA 论坛
日期:2025 年 8 月 28 日
类型:论坛报告
现代半导体制造中的良率损失正在发生变化。随着工艺节点缩减到 7nm 以下,系统性缺陷已取代随机缺陷,成为导致良率下降的主要原因。即使在成熟工艺中,系统性缺陷占比也常常超过 60%。
传统失效分析(Failure Analysis, FA)方法通常耗时过长,可能需要数周甚至数月,并且缺乏必要的定位分辨率。
西门子展示了一套利用机器学习和人工智能克服这些挑战的 EDA 工具,核心包括:
通过整合智能、数据驱动的方法,半导体公司可以加速良率爬坡,减少耗时的物理失效分析,并主动修复设计和工艺中的薄弱环节。
演讲第一部分重点介绍如何提高缺陷诊断分辨率,并基于海量数据进行根因分析。

| 技术 | 作用 |
|---|---|
| 单元感知诊断 | 能够诊断标准单元内部缺陷。其 PFA 命中率在从 160nm 到 3nm 的多个节点上超过 90%。对于复杂多比特扫描单元,可将可疑区域缩小多达 20 倍。 |
| 全局控制诊断 | 约 30% 的多扫描链失效案例由全局控制信号,如时钟,上的缺陷引起。该技术能识别导致失效的公共信号路径。 |
| 扫描链诊断 | 提升扫描链诊断分辨率,减少需要进行 PFA 的区域。 |
演讲引用了一篇与 AMD 合作发表在 ITC 2023 上的论文案例:一颗芯片有 11 条扫描链失效,Tessent DDYA 成功将其归因于时钟信号上的一个缺陷,后续 PFA 在预测位置发现了开路缺陷。
演讲后半部分转向更先进的、基于特征的机器学习方法,用于主动预测缺陷。

| 方法 | 说明 | 局限或优势 |
|---|---|---|
| 基于图形的匹配(PM) | 寻找与已知缺陷精确或模糊匹配的图形。 | 只能找到已知问题,会错过根因相同但外观不同的新图形。 |
| 基于特征的技术 | 将版图分解为基本特征,由模型学习导致缺陷的关键特征组合。 | 可识别从未见过但可能失效的新图形。 |

Calibre SONR 的核心思想是:特征工程是机器学习应用成功的关键。它在图形层面和设计层面提取特征,以更全面地理解版图,并允许用户自定义特征。


该方法使设计公司能够主动发现新的热点,理解工艺敏感性,并在设计流程早期通过稳健图形替换脆弱图形。演讲展示了单层和多层缺陷预测示例,其中基于特征的方法发现了传统 PM 未能捕获的新关键图形。
| 单层缺陷预测示例 | 多层缺陷预测示例 |
|---|---|
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诊断可以识别失效网络,但通常无法指出该网络上失效的确切物理坐标。Calibre SDPAL 正是为解决这个问题而生。
| SDPAL 解决的问题 | SDPAL 解决方案 |
|---|---|
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SDPAL 使用 AI/ML 引擎,将版图和诊断报告作为输入,定位有问题的版图图形。这可以加速失效分析,使团队在等待 FA 结果之前就修复下一个设计版本。
传统方法定位缺陷的成功率很低,通常低于 10%;SDPAL 实现了 25% 的成功率,代表 5 到 25 倍的提升。
| SDPAL 结果展示 1 | SDPAL 结果展示 2 |
|---|---|
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西门子 EDA 流程的优势在于多工具协同,形成一个集成的、智能的数据驱动生态系统。
这些工具共同帮助半导体公司应对先进节点制造复杂性,加速良率爬坡,并提升整体产品质量。
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